LED 소개

전자와 구멍이 재조합되면 가시 광선을 방출 할 수 있으므로 광 방출 다이오드를 만드는 데 사용될 수 있습니다. 회로 및 기기의 표시등으로 사용되거나 텍스트 또는 디지털 디스플레이로 구성됩니다. 갈륨 아르 세나이드 다이오드는 적색광을 방출하고, 갈륨 인형 다이오드는 녹색 빛을 방출하고, 실리콘 카바이드 다이오드는 황색광을 방출하고, 질화물 다이오드는 청색광을 방출한다. 화학적 특성으로 인해 유기 광 방출 다이오드 OLED 및 무기 광 방출 다이오드 LED로 나뉩니다.

광 방출 다이오드는 일반적으로 전자 및 구멍의 재조합을 통해 에너지를 방출하여 빛을 방출하는 광 방출 장치입니다. 그들은 조명 분야에서 널리 사용됩니다. [1] 광 방출 다이오드는 전기 에너지를 효율적으로 광 에너지로 변환 할 수 있으며 조명, 평면 패널 디스플레이 및 의료 기기와 같은 현대 사회에서 광범위한 사용을 가질 수 있습니다. [2]

이러한 종류의 전자 구성 요소는 1962 년 초에 나타났습니다. 초기에는 저조도 적색 표시등 만 방출 할 수있었습니다. 나중에 다른 단색 버전이 개발되었습니다. 오늘날 방출 될 수있는 빛은 가시 광선, 적외선 및 자외선으로 퍼졌으며 광도는 상당히 증가했습니다. 광도. 사용은 표시등, 디스플레이 패널 등으로 사용되었습니다. 기술의 지속적인 발전으로 조명 방출 다이오드는 디스플레이 및 조명에 널리 사용되었습니다.

보통 다이오드와 마찬가지로, 광 방출 다이오드는 PN 접합으로 구성되며, 또한 단방향 전도도를 갖는다. 전방 전압이 광-방출 다이오드에 적용될 때, P 면적에서 N 영역으로 주입 된 구멍은 각각 N 영역에서 P 영역으로 주입 된 전자가 각각 N 영역의 전자와 접촉하고 PN 접합부의 몇 마이크론 내에서 P 영역의 공간을 접촉한다. 구멍은 자발적인 방출 형광을 재조합하고 생성합니다. 다른 반도체 재료의 전자 및 구멍의 에너지 상태는 다릅니다. 전자와 구멍이 재조합되면 방출 된 에너지는 다소 다릅니다. 더 많은 에너지가 방출 될수록 방출 된 빛의 파장이 짧아집니다. 일반적으로 사용되는 것은 빨간색, 녹색 또는 노란색 빛을 방출하는 다이오드입니다. 광 방출 다이오드의 역 분해 전압은 5 볼트보다 큽니다. 순방향 볼트 앰프 특성 곡선은 매우 가파르므로 다이오드를 통한 전류를 제어하기 위해 전류 제한 저항과 직렬로 사용해야합니다.

광 방출 다이오드의 핵심 부분은 P- 타입 반도체 및 N 형 반도체로 구성된 웨이퍼입니다. Pn 접합이라고하는 P- 타입 반도체와 N 형 반도체 사이에 전이 층이있다. 특정 반도체 재료의 PN 접합부에서, 주사 된 소수 캐리어 및 다수의 운반체가 재조합 할 때, 과도한 에너지는 빛의 형태로 방출되어 전기 에너지를 광 에너지로 직접 변환한다. PN 접합부에 역 전압이 적용되면 소수 캐리어를 주입하기가 어렵 기 때문에 빛을 방출하지 않습니다. LED 양극에서 캐소드로 전류가 흐르면, 반도체 결정은 자외선에서 적외선까지 다른 색상의 빛을 방출합니다. 빛의 강도는 전류와 관련이 있습니다.