가시 광선 소개

광 방출 다이오드는 일반적으로 전자 및 구멍의 재조합을 통해 에너지를 방출하여 빛을 방출하는 광 방출 장치입니다. 그들은 조명 분야에서 널리 사용됩니다. [1] 광 방출 다이오드는 전기 에너지를 효율적으로 광 에너지로 변환 할 수 있으며 조명, 평면 패널 디스플레이 및 의료 기기와 같은 현대 사회에서 광범위한 사용을 가질 수 있습니다. [2]

이러한 종류의 전자 구성 요소는 1962 년 초에 나타났습니다. 초기에는 저조도 적색 표시등 만 방출 할 수있었습니다. 나중에 다른 단색 버전이 개발되었습니다. 오늘날 방출 될 수있는 빛은 가시 광선, 적외선 및 자외선으로 퍼졌으며 광도는 상당히 증가했습니다. 광도. 사용은 표시등, 디스플레이 패널 등으로 사용되었습니다. 기술의 지속적인 발전으로 조명 방출 다이오드는 디스플레이 및 조명에 널리 사용되었습니다.

보통 다이오드와 마찬가지로, 광 방출 다이오드는 PN 접합으로 구성되며, 또한 단방향 전도도를 갖는다. 전방 전압이 광-방출 다이오드에 적용될 때, P 면적에서 N 영역으로 주입 된 구멍은 각각 N 영역에서 P 영역으로 주입 된 전자가 각각 N 영역의 전자와 접촉하고 PN 접합부의 몇 마이크론 내에서 P 영역의 공간을 접촉한다. 구멍은 자발적인 방출 형광을 재조합하고 생성합니다. 다른 반도체 재료의 전자 및 구멍의 에너지 상태는 다릅니다. 전자와 구멍이 재조합되면 방출 된 에너지는 다소 다릅니다. 더 많은 에너지가 방출 될수록 방출 된 빛의 파장이 짧아집니다. 일반적으로 사용되는 것은 빨간색, 녹색 또는 노란색 빛을 방출하는 다이오드입니다. 광 방출 다이오드의 역 분해 전압은 5 볼트보다 큽니다. 순방향 볼트 앰프 특성 곡선은 매우 가파르므로 다이오드를 통한 전류를 제어하기 위해 전류 제한 저항과 직렬로 사용해야합니다.

광 방출 다이오드의 핵심 부분은 P- 타입 반도체 및 N 형 반도체로 구성된 웨이퍼입니다. Pn 접합이라고하는 P- 타입 반도체와 N 형 반도체 사이에 전이 층이있다. 특정 반도체 재료의 PN 접합부에서, 주사 된 소수 캐리어 및 다수의 운반체가 재조합 할 때, 과도한 에너지는 빛의 형태로 방출되어 전기 에너지를 광 에너지로 직접 변환한다. PN 접합부에 역 전압이 적용되면 소수 캐리어를 주입하기가 어렵 기 때문에 빛을 방출하지 않습니다. LED 양극에서 캐소드로 전류가 흐르면, 반도체 결정은 자외선에서 적외선까지 다른 색상의 빛을 방출합니다. 빛의 강도는 전류와 관련이 있습니다.